硅片甩干機的Si片內部的原子排列整齊有序,每個Si原子的4個價電子與周圍原子的價電子結合構成共價鍵結構。但是經過切割工序后,Si片表面垂直切片方向的共價鍵遭到破壞而成為懸空鍵，這種不飽和鍵處于不穩(wěn)定狀態(tài),具有可以俘獲電子或其他原子的能力,以減低表面能,達到穩(wěn)定狀態(tài)。

 

　　當周圍環(huán)境中的原子或分子趨近晶片表面時,受到表面原子的吸引力,容易被拉到表面,在Si晶片表面富集,形成吸附,從而造成污染。理想表面實際是不存在的,實際的Si片表面一般包括三個薄層:加工應變層、氧化層和吸附層,在這三層下面才是真正意義上的晶體Si。

 

　　對于太陽能用Si片來說,加工應變層是指在線切工藝時所產生的應變區(qū),氧化層指新切出的表面與大氣接觸造成的氧化薄膜,厚度在幾納米到幾十納米之間,和留置在空氣中的時間有關,這也是切割后的Si片如果不能馬上進入下一工序,要盡快浸泡到純水中的原因。硅片甩干機的Si片表面zui外層即為吸附層,是氧化層與環(huán)境氣氛的界面,吸附一些污染雜質。這些沾污可以分為分子、離子、原子或者分為有機雜質、金屬和粒子。